Verfahren zum Verbessern der Lithographieeigenschaften während der Gateelektrode in Halbleitern mit einer ausgeprägten Oberflächentopographie

摘要

In einer Mesa-Isolationskonfiguration zur Herstellung eines Transistors auf einer Halbleiterinsel wird ein zusätzlicher Einebnungsschritt ausgeführt, um die Gleichförmigkeit des Gatestrukturierungsprozesses zu verbessern. In einigen anschaulichen Ausführungsformen wird das Gateelektrodenmaterial eingeebnet, beispielsweise auf der Grundlage von CMP, um damit die äußerst ungleichförmige Oberflächentopographie zu kompensieren, wenn das Gateelektrodenmaterial über den nicht gefüllten Isolationsgräben gebildet wird. Folglich können deutliche Vorteile der Mesa-Isolationsstrategie mit einem hohen Maß an Skalierbarkeit auf Grund der Verbesserung des kritischen Gatestrukturierungsprozesses kombiniert werden.