| 发明名称 | 用于抛光铜的组合物和方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了适用于从半导体晶片上抛光铜的水性组合物，该组合物包含1至15wt％的氧化剂，0.1至1wt％的非铁金属抑制剂，0.05至3wt％该非铁金属的配位剂，0.01至5wt％的羧酸聚合物，0.01至5wt％的改性纤维素，0.0001至2wt％具有阳离子和阴离子组分的盐，和余量的水，该盐可降低晶片和抛光垫之间的振动产生的噪音水平。 | ||
| 申请公布号 | CN1629238A | 申请公布日期 | 2005.06.22 |
| 申请号 | CN200410092968.8 | 申请日期 | 2004.11.12 |
| 申请人 | CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司 | 发明人 | T·M·托马斯;J·K·苏 |
| 分类号 | C09G1/16;H01L21/304 | 主分类号 | C09G1/16 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 蔡胜有 |
| 主权项 | 1.用于在半导体晶片上抛光铜的水性组合物，该组合物包含1至15wt％的氧化剂，0.1至1wt％的非铁金属抑制剂，0.05至3wt％该非铁金属的配位剂，0.01至5wt％的羧酸聚合物，0.01至5wt％的改性纤维素，0.0001至2wt％具有阳离子和阴离子组分的盐，和余量的水，该盐可降低晶片和抛光垫之间的振动产生的噪音水平。 | ||
| 地址 | 美国特拉华 | ||