发明名称 |
掩膜图案的校正方法 |
摘要 |
一种掩膜图案的校正方法,首先提供具有一第一长条状图案与一第二长条状图案所组成的一T形原始图案,其中第一长条状图案连接于第二长条状图案的中段部分。接着,在第一长条状图案的两侧加上一辅助图案以形成一第一修正图案,其中该辅助图案的形状为条状。之后,缩小部分第一长条状图案,以形成一第二修正图案,其中部分第一长条状图案缩小后的尺寸为一栅极图案的关键尺寸。然后,利用一光学邻近校正法,修正第二修正图案而形成一第三修正图案。 |
申请公布号 |
CN1190708C |
申请公布日期 |
2005.02.23 |
申请号 |
CN02141166.2 |
申请日期 |
2002.07.08 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 |
发明人 |
谢昌志;黄俊仁;洪圭钧;王见明 |
分类号 |
G03F9/00;G03F1/16;H01L21/027 |
主分类号 |
G03F9/00 |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
魏晓刚;李晓舒 |
主权项 |
1.一种掩膜图案的校正方法,包括下列步骤:提供由一第一长条状图案与一第二长条状图案所组成的一T形原始图案,其中该第一长条状图案连接于该第二长条状图案的中段部分;进行一第一修正步骤,在该第一长条状图案的两侧加上一辅助图案以形成一第一修正图案,其中该辅助图案的形状为条状;进行一第二修正步骤,缩小一部分的该第一长条状图案,以形成一第二修正图案,其中该部分的该第一长条状图案缩小后的尺寸为一栅极图案的关键尺寸;以及进行一第三修正步骤,利用一光学邻近校正法,修正该第二修正图案而形成一第三修正图案。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区 |