发明名称 検査装置、検査方法及び半導体装置の製造方法
摘要 【課題】ウェハ研磨の洗浄後に生じる異物欠陥を高精度に検出することができるウェハの検査装置、検査方法及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明にかかる検査装置100は、ウェハ60の画像データを取得する撮像部20と、画像データを処理する画像処理部30と、を備える。画像処理部30は、画像データを、動径及び偏角による極座標に変換した後、動径及び偏角を座標軸とする直交座標系に展開した極座標データを取得する極座標変換部31と、画像データまたは極座標データを、第1の値及び第2の値に二値化し、極座標データにおける第1の値のパターンの延びる方向と、直交座標系のいずれかの座標軸との間の角度を検出する角度検出部32と、フーリエ変換部33と、マスク部34と、を有する。画像処理部30は、さらに、異物欠陥検査を行う異物欠陥検査部35と、を備える。【選択図】図1
申请公布号 JP6031697(B1) 申请公布日期 2016.11.24
申请号 JP20150165038 申请日期 2015.08.24
申请人 レーザーテック株式会社 发明人 幸山 常仁;上園 秀正
分类号 G01N21/956;G06T1/00;H01L21/304;H01L21/66 主分类号 G01N21/956
代理机构 代理人
主权项
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