| 发明名称 | 单体、低聚和聚噻吩并[3,2－b]噻吩 | ||
| 摘要 | 本发明涉及新型单体、低聚和聚噻吩并[3，2－b]噻吩，涉及它们的用途，作为半导体或电荷传输材料，在光学、电光学或电子器件如液晶显示器、光学膜、用于薄膜晶体管液晶显示器的有机场效应晶体管(FET或OFET)中，以及在集成电路器件如RFID标签，平板显示器中的电致发光器件，和光致电压和传感器器件中的用途，和包含该新型聚合物的场效应晶体管、发光器件或ID标签。 | ||
| 申请公布号 | CN1956988A | 申请公布日期 | 2007.05.02 |
| 申请号 | CN200580015968.0 | 申请日期 | 2005.04.21 |
| 申请人 | 默克专利股份有限公司 | 发明人 | M·黑尼;R·瓦戈纳;I·麦克洛奇;S·蒂尔尼 |
| 分类号 | C07D495/04(2006.01);C07D519/00(2006.01);C07D345/00(2006.01);C08F273/00(2006.01);C08G61/12(2006.01) | 主分类号 | C07D495/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 刘明海 |
| 主权项 | 1.包含至少一个噻吩并[3，2-b]噻吩-2，5-二基(TT)基团的单体、低聚物和聚合物，其特征在于它们包含至少一个在3-和6-位被取代的TT基团和/或至少一个在3-和/或4-位被取代的噻吩-2，5-二基或硒吩-2，5-二基。 | ||
| 地址 | 德国达姆施塔特 | ||