发明名称 |
太阳能电池之制造方法 |
摘要 |
本案系提供一种太阳能电池之制造方法,其包含下列步骤:(a)提供一半导体基板;(b)形成一具非晶矽结构之介电层于该半导体基板上;(c)选择性地移除部分之该具非晶矽结构之介电层,并曝露出部分之该半导体基板;(d)以该具非晶矽结构之介电层为半通透层,同时于该曝露之半导体基板表层形成一高掺杂区域及于未曝露之半导体基板表层形成一低掺杂区域;(e)移除该具非晶矽结构之介电层;(f)形成一抗反射膜于该半导体基板上;以及(g)形成复数个第一电极于该抗反射膜上,且使该第一电极连接于对应之该高掺杂区域。 |
申请公布号 |
TWI368999 |
申请公布日期 |
2012.07.21 |
申请号 |
TW097126792 |
申请日期 |
2008.07.15 |
申请人 |
台湾茂矽电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区研新一路1号 |
发明人 |
沈昌宏;罗佩婷 |
分类号 |
H01L31/042;H01L31/18 |
主分类号 |
H01L31/042 |
代理机构 |
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代理人 |
王丽茹 台北市内湖区瑞光路583巷27号4楼;曾国轩 台北市内湖区瑞光路583巷27号4楼 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区研新一路1号 |