Chipförmiger Varistor und Verfahren zu dessen Herstellung

摘要

Chipförmiger Varistor mit einem Elementkörper (12; 12a), der Zinkoxidmaterialschichten (1; 1a) und innere Elektrodenschichten (2; 2a) aufweist, wobei wenn ein minimaler Abstand von einer äußersten Seite der ersten inneren Elektrodenschicht in die Stapelrichtung zu einer Oberfläche des Elementkörpers l ist und ein Ionenintensitätsverhältnis eines Alkalimetalls (A) und von Zink (Zn) (A/Zn) in einem Bereich von der Oberfläche des Elementkörpers bis zu einer Tiefe von (0,9 × l) durch Sekundärionenmassenspektrometrie gemessen wird, 0,001 ≤ (A/Zn) ≤ 500 gilt.