低功耗低温漂与工艺无关的电压检测电路

摘要

本发明涉及一种低功耗低温漂与工艺无关的电压检测电路，包括：三路分压电路、开关电路、整形电路；分压电路由PMOS管P0至P3、PMOS管P5至P8和晶体管Q0以及MOS管P9至P12组成三组分压电路；开关电路由NMOS管N0构成；NMOS管N0栅极连接至分压电路A处，NMOS管N0源极和PNP晶体管Q1源极连接至分压电路B处，NMOS管N0漏极连接至分压电路III的C处，PNP晶体管Q1的基极和集电极接地；整形电路由施密特触发器组成；其特点是：在分压电路1的分支上串接了一由NMOS管N0构成的电压漂移补偿电路和由PNP管Q1构成的负温度系数补偿电路。由此本发明在温度变化时输出值LVR电压值基本不变，改善了工艺偏差带来的LVR电压漂移，达到了电压检测电路低功耗低温漂且与工艺无关的效果。

主权项

1.一种低功耗低温漂与工艺无关的电压检测电路，包括：三路分压电路(1、2、3)、开关电路(4)、整形电路(5)；所述的三路分压电路包括，由PMOS管的P0、P1、P1与P3组成的分压电路(1)，由PMOS管的P5、P6、P7、P8及晶体管Q0组成的分压电路(2)，由PMOS管的P9、P10、P11与P12组成的分压电路(3)；所述的开关电路(4)由NMOS管N0构成；NMOS管N0的栅极连接至分压电路(1)的A处，NMOS管N0的源极和PNP晶体管Q1的源极共接且连接至分压电路(2)的B处，NMOS管N0的漏极连接至分压电路(3)的C处，PNP晶体管Q1的基极和集电极接地；所述的整形电路(5)由施密特触发器组成；其特征在于：在所述的分压电路(1)的分支上串接了一电压漂移补偿电路(6)和一负温度系数补偿电路(7)。