| 发明名称 | 鳍式场效应晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中，鳍式场效应晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有至少两个分立的凸起结构，所述凸起结构上具有垫氧化层和位于所述垫氧化层上的掩膜层；在所述凸起结构的侧壁、所述垫氧化层的侧壁、所述掩膜层的侧壁和顶部形成阻挡层；在相邻凸起结构之间的所述阻挡层上形成绝缘层，所述绝缘层低于所述凸起结构；对所述掩膜层、所述垫氧化层和所述凸起结构进行沟道截止离子注入，形成沟道截止离子注入层。采用本发明的方法能够提高鳍式场效应晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105845570A | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201510016784.1 | 申请日期 | 2015.01.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 李勇;赵海;居建华 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 吴敏;骆苏华 |
| 主权项 | 一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有至少两个分立的凸起结构，所述凸起结构上具有垫氧化层和位于所述垫氧化层上的掩膜层；在所述凸起结构的侧壁、所述垫氧化层的侧壁、所述掩膜层的侧壁和顶部形成阻挡层；在相邻凸起结构之间的所述阻挡层上形成绝缘层，所述绝缘层低于所述凸起结构；对所述掩膜层、所述垫氧化层和所述凸起结构进行沟道截止离子注入，形成沟道截止离子注入层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||