发明名称 Schreibverfahren mit einem geladenen Teilchenstrahl
摘要 Ein Schreibverfahren mit einem geladenen Teilchenstrahl umfasst das Schreiben eines Musters auf ein erstes Zielobjekt unter Verwendung eines geladenen Teilchenstrahls in einer Schreibvorrichtung; und das Befördern eines zweiten Zielobjekts, nachdem das Muster auf dem ersten Zielobjekt geschrieben wurde, wobei selbst wenn das zweite Zielobjekt auf einem beliebigen der Beförderungspfade angeordnet ist, eine Ausbringöffnung und eine Einbringöffnung der Schreibvorrichtung umfassend, eine Beförderungsoperation für das zweite Zielobjekt nicht durchgeführt wird während des Schreibens des Musters auf dem ersten Zielobjekt.
申请公布号 DE102008030052(A1) 申请公布日期 2009.01.08
申请号 DE200810030052 申请日期 2008.06.25
申请人 NUFLARE TECHNOLOGY INC. 发明人 SUNAOSHI, HITOSHI
分类号 H01J37/30;H01L21/70 主分类号 H01J37/30
代理机构 代理人
主权项
地址