测试埋入式动态随机存取存储器电路的电路及方法

摘要

本发明提供了用于通过具有直接存取(DA)模式逻辑的测试控制器来测试一eDRAM的电路与方法。本发明的电路与方法可利用已知的存储器测试器来进行eDRAM的测试。本发明提供一种半导体装置，其包含一包埋式动态随机存取存储器(eDRAM)以用于储存数据，所述eDRAM包含多个存储器小区，以及一侧式控制器；其所述测试控制器包含内建自身测试(BIST)逻辑电路，以及直接存取模式逻辑电路。所述测试控制器更包含一多路复用器，其用于自所述BIST逻辑电路与所述直接存取模式逻辑电路而多路传输数据、指令与地址至所述eDRAM。

主权项

1.一种半导体装置(101)，其包含:一包埋式随机存取存储器(103)，用于储存数据，所述包埋式随机存取存储器(103)包含多个存储器小区；以及一测试控制器(102)，用于测试所述多个存储器小区，以决定所述测试控制器是否有缺陷，所述测试控器(102)包含内建自身测试逻辑电路(200)，用于进行测试且用于接合至一逻辑测试器(100)；以及直接存取模式逻辑电路(201)，用于接合一外部存储器测试器(100)与所述包埋式随机存取存储器(103)；其中，所述直接存取模式逻辑电路(201)更包含:一数据多路复用器(300)，用于自所述外部存储器测试器(100)接收一测试数据图案，用于将所述测试数据扩展成所述包埋式随机存取存储器(103)的一总线宽度，以及传送所述被扩展的数据至所述包埋式随机存取存储器(103)；一地址多路复用器(302)，用于接收地址以进行测试；以及一指令译码器(301)，用于传送指令至所述包埋式随机存取存储器(103)以及用于控制所述数据多路复用器(300)与地址多路复用器(302)。