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Ein magnetoresistives Speicherelement weist eine Stapelstruktur auf einschließlich: einer Tunnelbarriere aus nichtmagnetischem Material, einem ersten magnetischen System mit einer ferromagnetischen Referenzschicht des Tunnelübergangs mit einem fixierten magnetischen Momentvektor auf einer Seite des Tunnelübergangs benachbart zum nichtmagnetischen Material und einem zweiten magnetischen System mit einer ferromagnetischen freien Schicht des Tunnelübergangs auf einer gegenüberliegenden Seite der Tunnelbarriere mit einem freien magnetischen Momentvektor benachbart zum nichtmagnetischen Material, wodurch ein magnetoresistiver Tunnelübergang ausgebildet wird. Die freie Schicht des Tunnelübergangs stellt eine Schicht aus einer Mehrzahl von N ferromagnetischen freien Schichten, die antiferromagnetisch gekoppelt sind, dar. Das erste magnetische System ist zwischen die freie Schicht des Tunnelübergangs und wengistens einer der ferromagnetischen freien Schichten, die hieran antiferromagnetisch gekoppelt sind, eingelegt.
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