发明名称 磁致伸缩扭矩传感器与电动转向装置
摘要 本发明公开一种磁致伸缩扭矩传感器(10),其包括用于根据输入扭矩旋转并且具有磁致伸缩膜(14A)和(14B)的旋转轴(11)、将交变磁场(31)施加于磁致伸缩膜上的励磁线圈(12)、以及各自检测相关联的一个磁致伸缩膜的磁特性变化的检测线圈(13A)和(13B),其中由偏压电源(17)将偏置磁场添加到交变磁场,以满足以下条件:H<SUB>m</SUB><H<SUB>in</SUB><H<SUB>n</SUB>;且-H<SUB>m</SUB>>-H<SUB>in</SUB>>-H<SUB>n</SUB>,其中H<SUB>m</SUB>(>0)是对应于根据磁致伸缩膜磁滞曲线获得的最大导磁率处的施加磁场,示出了由交变磁场引起的磁化,H<SUB>n</SUB>(>0)是对应于不连续磁化范围端点处的施加磁场,H<SUB>in</SUB>(>0)是确定灵敏度范围的施加磁场,该灵敏度范围设定在表征磁致伸缩膜磁致伸缩灵敏度的磁致伸缩灵敏度曲线上。
申请公布号 CN101329209A 申请公布日期 2008.12.24
申请号 CN200810110258.1 申请日期 2008.06.23
申请人 本田技研工业株式会社 发明人 原田仁;福田裕一;樫村之哉;土肥瑞穗
分类号 G01L3/10(2006.01);B62D5/04(2006.01) 主分类号 G01L3/10(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 马高平
主权项 1、一种磁致伸缩扭矩传感器,其包括:用于根据输入扭矩旋转并且具有磁致伸缩膜的旋转轴,将交变磁场施加于所述磁性膜上的励磁线圈,以及检测所述磁致伸缩膜的磁特性变化的检测线圈,其中一偏置磁场被添加到所述交变磁场上,以满足以下条件:Hm<Hin<Hn; 且-Hm>-Hin>-Hn 其中Hm>0,其是对应于根据所述磁致伸缩膜的磁滞曲线而获得的最大导磁率的所施加磁场,其表示出了由所述交变磁场引起的磁化,Hn>0,其是对应于不连续磁化的范围的端点的所施加磁场,并且Hin>0,其是确定灵敏度范围的所施加磁场,该灵敏度范围要被设定在表征所述磁致伸缩膜具有的磁致伸缩灵敏度的磁致伸缩灵敏度曲线上。
地址 日本东京都