发明名称 透明导电性膜
摘要 于使用膜基材之情形时,若为先前之铟锡氧化物之3层膜之构成,则无法进行铟锡氧化物之结晶化或者于结晶化中花费非常多之时间。本发明之透明导电性膜10包括具有2个主面之膜基材11、及形成于膜基材11之一主面上之透明导电膜12。透明导电膜12系自膜基材11侧起依序积层有第一铟锡氧化物层13、第二铟锡氧化物层14、第三铟锡氧化物层15之3层膜。第一铟锡氧化物层13之氧化锡含量少于第二铟锡氧化物层14之氧化锡含量。第三铟锡氧化物层15之氧化锡含量少于第二铟锡氧化物层14之氧化锡含量。
申请公布号 TWI413699 申请公布日期 2013.11.01
申请号 TW101136258 申请日期 2012.10.01
申请人 日东电工股份有限公司 日本 发明人 梨木智刚;拜师基希;野口知功;石桥邦昭
分类号 C23C14/08 主分类号 C23C14/08
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 日本