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发明名称
透明导电性膜
摘要
于使用膜基材之情形时,若为先前之铟锡氧化物之3层膜之构成,则无法进行铟锡氧化物之结晶化或者于结晶化中花费非常多之时间。本发明之透明导电性膜10包括具有2个主面之膜基材11、及形成于膜基材11之一主面上之透明导电膜12。透明导电膜12系自膜基材11侧起依序积层有第一铟锡氧化物层13、第二铟锡氧化物层14、第三铟锡氧化物层15之3层膜。第一铟锡氧化物层13之氧化锡含量少于第二铟锡氧化物层14之氧化锡含量。第三铟锡氧化物层15之氧化锡含量少于第二铟锡氧化物层14之氧化锡含量。
申请公布号
TWI413699
申请公布日期
2013.11.01
申请号
TW101136258
申请日期
2012.10.01
申请人
日东电工股份有限公司 日本
发明人
梨木智刚;拜师基希;野口知功;石桥邦昭
分类号
C23C14/08
主分类号
C23C14/08
代理机构
代理人
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址
日本
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