TVS管的制作方法

摘要

本发明公开了TVS管的制作方法，包括以下步骤：在TVS管完成前半段工艺后形成器件区域并进行隔离槽刻蚀；在隔离槽内热氧化生长第一预设厚度的二氧化硅；在隔离槽的二氧化硅上通过化学气相淀积生长第二预设厚度的N型掺杂多晶硅以填满隔离槽；用光刻胶遮挡住介质电容区和隔离槽进行光刻后，再进行多晶硅刻蚀，刻蚀完成后将光刻胶去除；在多晶硅上采用LPCVD淀积第三预设厚度的氮化硅；淀积第四预设厚度的层间介质层，采用接触式刻蚀方法刻蚀出引线孔；在引线孔上淀积顶层金属层。本发明的TVS管的制作方法通过并联MIP介质电容，提高TVS管的电容稳定性。

主权项

一种TVS管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在所述TVS管完成前半段工艺后形成器件区域，在器件区域进行隔离槽刻蚀；S2、在所述隔离槽内热氧化生长第一预设厚度的二氧化硅；S3、在所述隔离槽的二氧化硅上通过化学气相淀积生长第二预设厚度的N型掺杂多晶硅以填满所述隔离槽；S4、用光刻胶遮挡住介质电容区和隔离槽进行光刻后，再进行多晶硅刻蚀，刻蚀完成后将光刻胶去除；S5、在所述多晶硅上采用LPCVD淀积第三预设厚度的氮化硅；S6、淀积第四预设厚度的层间介质层，采用接触式刻蚀方法刻蚀出引线孔；S7、在所述引线孔上淀积顶层金属层。