发明名称 | 三维集成电容结构 | ||
摘要 | 一种三维集成电容结构包括至少两种“晶胞”在所述IC的相应层上的阵列,每一晶胞包括一中心导体以及一包围该中心导体的导电环。每一阵列包括多个以一预定间距铺在一给定的IC层上的晶胞。所述阵列垂直配置,以致于相邻的垂直阵列在x和y二个维度上为一所述晶胞的间距的一预定比值-最好为1/2-偏移。配置与所述阵列互相连接的通路,以致于使每一中心导体以紧接所述中心导体的上、下与阵列的一导电环连接,并且以致于使每一导电环以紧接所述导电环的上、下与阵列的一中心导体连接。 | ||
申请公布号 | CN101390211A | 申请公布日期 | 2009.03.18 |
申请号 | CN200680053396.X | 申请日期 | 2006.11.02 |
申请人 | 模拟设备股份有限公司 | 发明人 | R·L·佩蒂特 |
分类号 | H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 李 玲 |
主权项 | 1. 一种供一集成电路(IC)之用的集成电容结构,其包括:至少两种晶胞在所述IC的相应层上的阵列,每一晶胞包括:一中心导体;以及一包围所述中心导体的导电环,其中所述中心导体以及所述导电环均在所述IC的同一层上构成;所述每一阵列包括多个以一预定间距铺在一给定的所述层上的晶胞;所述阵列垂直配置,以致于相邻的垂直阵列在x和y二个维度上为一所述晶胞的间距的一预定比值偏移;以及配置与所述阵列互相连接的通路,以致于使每一中心导体以紧接所述中心导体的上、下与阵列的一导电环连接,并且以致于使每一导电环以紧接所述导电环的上、下与阵列的一中心导体连接。 | ||
地址 | 美国马萨诸塞州 |