发明名称 具有改进的热稳定性的传感器
摘要 本发明涉及具有改进的热稳定性的传感器。公开了包括加热器电阻器(112)和/或一个或多个传感器电阻器(114)的改进的传感器。在一些情况下,该加热器电阻器(112)可以被配置为具有零或者接近零的电阻温度系数(TCR),而一个或多个传感器电阻器(114)可以被配置为具有非零的更高的TCR。在一些情况下,加热器电阻器(112)可以包括掺杂有第一浓度的掺杂剂(306)的多晶硅材料,并且该一个或多个感测元件可以包括掺杂有第二更高浓度的掺杂剂(306)的多晶硅材料。在一些情况下,该第一浓度的掺杂剂(306)可以被配置为提供具有零或接近零的电阻温度系数(TCR)的加热器电阻器(112)。
申请公布号 CN102680035B 申请公布日期 2016.12.14
申请号 CN201210061967.1 申请日期 2012.01.13
申请人 霍尼韦尔国际公司 发明人 Y-F·王;S·E·贝克
分类号 G01F1/69(2006.01)I 主分类号 G01F1/69(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 王岳;卢江
主权项 一种用于感测沿着流向的流体的流量的流量感测管芯(100),该流量感测管芯(100)包括:衬底(102),该衬底(102)限定膜(106);由该膜(106)支承的加热器电阻器(112),其中该加热器电阻器(112)包括掺杂有第一浓度的掺杂剂(306)的多晶硅材料;第一感测电阻器,由该膜(106)支承,位于该加热器电阻器(112)的相对于流向的上游位置;第二感测电阻器,由该膜(106)支承,位于该加热器电阻器(112)的相对于流向的下游位置;以及其中所述第一感测电阻器和第二感测电阻器包括掺杂有第二浓度的掺杂剂(306)的多晶硅材料,其中所述第二浓度大于所述第一浓度。
地址 美国新泽西州