| 发明名称 | 一种不产生高频谐波的高压开关 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种不产生高频谐波的高压开关，该高压开关由负载开关K并联一个由双向可控硅堆G和辅助开关K<SUB>F</SUB>串联而成的旁路开关构成，所述的负载开关K为单组负载开关，所述的负载开关K为多组负载开关，多组负载开关分别与辅助开关K<SUB>F</SUB>联接。或该高压开关由负载开关K串联一个由双向可控硅堆G和辅助开关K<SUB>F</SUB>并联而成的开关装置构成。 | ||
| 申请公布号 | CN2650312Y | 申请公布日期 | 2004.10.20 |
| 申请号 | CN200320106758.0 | 申请日期 | 2003.11.05 |
| 申请人 | 李国栋;孟佩丽;吴昊 | 发明人 | 李国栋;孟佩丽;吴昊 |
| 分类号 | H01H9/54;H01H9/56 | 主分类号 | H01H9/54 |
| 代理机构 | 济南三达专利事务所 | 代理人 | 李健康 |
| 主权项 | 1、一种不产生高频谐波的高压开关，其特征在于该高压开关由负载开关K并联一个由双向可控硅堆G和辅助开关KF串联而成的旁路开关构成。 | ||
| 地址 | 250001山东省济南市馆驿街21号楼101室 | ||