发明名称 |
具有抑制带外辐射的ITO吸收件的EUV掩模 |
摘要 |
本发明也提供了光刻掩模。光刻掩模包括含有低热膨胀材料(LTEM)的衬底。反射结构设置在衬底上方。覆盖层设置在反射结构上方。吸收层设置在覆盖层上方。吸收层包含氧化铟锡(ITO)材料。在一些实施例中,ITO材料具有SnO<sub>6</sub>晶体结构。本发明还涉及具有抑制带外辐射的ITO吸收件的EUV掩模。 |
申请公布号 |
CN106154735A |
申请公布日期 |
2016.11.23 |
申请号 |
CN201510148146.5 |
申请日期 |
2015.03.31 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
谢依凌;游信胜;陈政宏;严涛南 |
分类号 |
G03F1/22(2012.01)I;G03F1/24(2012.01)I;G03F7/20(2006.01)I |
主分类号 |
G03F1/22(2012.01)I |
代理机构 |
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 |
代理人 |
章社杲;李伟 |
主权项 |
一种光刻掩模,包括:衬底,包含低热膨胀材料(LTEM);反射结构,设置在所述衬底上方;覆盖层,设置在所述反射结构上方;以及吸收层,设置在所述覆盖层上方,其中,所述吸收层包含氧化铟锡(ITO)材料。 |
地址 |
中国台湾新竹 |