| 摘要 |
高速のＰＩＮベースの光検出器は、非常に低い電界に曝されるドリフト層（１０４）と結合した、印加電界が高い薄い光吸収層（１０２）を備える。より高い移動度を有する電荷キャリアのみがドリフト層（１０４）を走行しなければならず、より低い移動度を有する電荷キャリアは、光吸収層（１０２）の厚み未満又は最大でもそれに等しい距離を走行すれば済む。ドリフト層（１０４）のバンドギャップエネルギー（２０８）は、光吸収層（１０２）のバンドギャップエネルギー（２０６）よりも大きい。より高い電界の光吸収層からより低い電界のドリフト層への移行は、傾斜層（１０５）によって実施される。光吸収層（１０２）に対するドリフト層（１０４）における電界の減少は、光吸収層（１０２）、ドリフト層（１０４）及び傾斜層（１０５）におけるドーパント濃度の分布によって実現される。【選択図】 図２ |
