发明名称 |
磁传感器及其制造方法、适合该制造方法的磁铁阵列 |
摘要 |
一种具有可以稳定维持自由层磁区的磁化方向的磁阻效应元件的磁传感器。该磁传感器包括具有包括钉扎层和自由层的窄带形部(11a、11a)的磁阻效应元件。在自由层的两端部下方形成了偏磁膜(11b、11b)和初始化用线圈(31),所述偏磁膜(11b、11b)由使该自由层上产生规定方向的偏磁场的永久磁铁构成,所述初始化用线圈(31)与所述自由层邻近而设,通过在规定条件下通电来对自由层施加与所述偏磁场同一方向的磁场。此外,偏磁膜的起磁和钉扎层的磁化方向的固定用由磁铁阵列形成的磁场完成,使在多个永久磁铁设置在正方格的格点上的同时各永久磁铁的磁极的极性与间隔最短距离邻接的其他磁极的极性不同。 |
申请公布号 |
CN1291237C |
申请公布日期 |
2006.12.20 |
申请号 |
CN200310119837.X |
申请日期 |
2003.10.23 |
申请人 |
雅马哈株式会社 |
发明人 |
大桥俊幸;涌井幸夫 |
分类号 |
G01R33/09(2006.01);G11B5/39(2006.01) |
主分类号 |
G01R33/09(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
李贵亮;杨梧 |
主权项 |
1.一种磁传感器,其由包含具有自旋开关膜的巨大磁阻效应元件构成,该自旋开关膜具有钉扎层、导电衬垫层和自由层,其中,具有:偏磁膜,其由通过在所述自由层上产生规定方向的偏磁场、而把该自由层的磁区的磁化的方向维持在规定的初始状态中的方向的永久磁铁构成;初始化用线圈,其通过与所述自由层邻近设置并且在规定条件下通电,对该自由层施加与所述偏磁场同一方向的用于初始化的磁场,因而,通过对该自由层施加强磁场,即使在该自由层的各个磁区的磁化方向混乱的情况下该磁化的方向也能够可靠地回到初始状态。 |
地址 |
日本静冈县 |