| 发明名称 | 等离子体掺杂方法 | ||
| 摘要 | 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是在试样或者试样表面的膜中添加杂质的等离子体掺杂方法，其特征在于，包括以下3个阶段，第1阶段是在真空容器内的试样电极放置试样；第2阶段是通过一边将掺杂原料气体输入至上述真空容器内一边从真空容器内排出气体，将上述真空容器内的压力控制在第1压力的同时向等离子体源供给高频功率而使真空容器内产生等离子体；第3阶段是在保持产生等离子体的状态下，一边将上述真空容器内的压力控制在比上述第1压力低的第2压力，一边向等离子体源供给比在上述第2阶段的高频功率大的高频功率。 | ||
| 申请公布号 | CN101086964A | 申请公布日期 | 2007.12.12 |
| 申请号 | CN200710127001.2 | 申请日期 | 2003.09.30 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 奥村智洋;中山一郎;水野文二;佐佐木雄一朗 |
| 分类号 | H01L21/223(2006.01);H01L21/263(2006.01);H01J37/32(2006.01);H05H1/46(2006.01) | 主分类号 | H01L21/223(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 沙永生 |
| 主权项 | 1、等离子体掺杂方法，它是在试样或者试样表面的膜中添加杂质的等离子体掺杂方法，其特征在于，包括以下3个阶段，第1阶段是在真空容器内的试样电极放置试样；第2阶段是通过一边将掺杂原料气体输入至上述真空容器内一边从真空容器内排出气体，将上述真空容器内的压力控制在第1压力的同时向等离子体源供给高频功率而使真空容器内产生等离子体；第3阶段是在保持产生等离子体的状态下，一边将上述真空容器内的压力控制在比上述第1压力低的第2压力，一边向等离子体源供给比在上述第2阶段的高频功率大的高频功率。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府门真市 | ||