刻蚀停止层的重作方法

摘要

一种刻蚀停止层的重作方法，半导体结构至少包括一非晶硅层、一残缺的刻蚀停止层及一第一图案化光致抗蚀剂层。残缺的刻蚀停止层形成于非晶硅层上，第一图案化光致抗蚀剂层形成于残缺的刻蚀停止层上。依序去除第一图案化光致抗蚀剂层及残缺的刻蚀停止层，并以N+预清洗法清洁非晶硅层的表面。接着，以氢气-等离子体处理非晶硅层的表面，并以化学汽相沉积法形成一氮化硅层于非晶硅层上。然后，形成一第二图案化光致抗蚀剂层于氮化硅层上，并以刻蚀法去除所暴露的部分的氮化硅层，形成一重作的刻蚀停止层。

主权项

1.一种刻蚀停止层的重作方法，用于一半导体结构上，该半导体结构至少包括一非晶硅层、一残缺的刻蚀停止层及一第一图案化光致抗蚀剂层，该残缺的刻蚀停止层形成于该非晶硅层上，该第一图案化光致抗蚀剂层形成于该残缺的刻蚀停止层上，该方法至少包括：去除该第一图案化光致抗蚀剂层；去除该残缺的刻蚀停止层；以N+预清洗法清洁该非晶硅层的表面；以及形成一重作的刻蚀停止层于该非晶硅层上。