P-I-N半导体二极管及其形成方法

摘要

在半导体衬底上形成一种具有高纵横比的柱形p-i-n二极管的装置。通过在位于所述柱的每个末端处的P+区域与N+区域之间的本征或轻掺杂的区域(i区域)形成每一个器件。所述p-i-n二极管的装置被嵌入在光学透明介质中。对于给定的表面面积，所述柱p-i-n二极管的装置比常规平面p-i-n二极管吸收更多的光能量。以阵列形式配置所述p-i-n二极管以使从一个p-i-n二极管反射的光子被邻近第一个p-i-n二极管的另一个p-i-n二极管所俘获和吸收，从而优化能量转换的效率。

主权项

1.一种半导体器件，包括至少第一和第二p-i-n二极管，所述第一和第二p-i-n二极管具有位于在n掺杂的区域和p掺杂的区域之间的中间本征区域并被成形为柱，其中被所述第一p-i-n二极管反射的光能量被所述第二p-i-n二极管吸收，以阵列配置的形式设置所述至少两个p-i-n二极管，其中所述阵列的表面效率由公式(1)给出：mπ/(n)2＞1 (1)其中m＝h/r，柱高度(h)与其半径(r)的比率，n是柱中心到中心的距离(d)与其半径的比率。