发明名称 用于将离子注射到静电离子阱中的方法和设备
摘要 一种将离子注射到静电阱中的方法,其包括:在离子源中产生离子;将离子从所述离子源传输到所述离子源下游的离子存储装置;从所述离子存储装置将离子释放到所述离子存储装置下游的离子导引件;以及从所述离子导引件中作为脉冲将离子加速到轨道静电阱中以用于质量分析,其中在离子从所述离子导引件离开时离子的平均速度基本上高于离子从所述离子存储装置离开时的离子的平均速度,其中在从所述离子存储装置释放离子与从所述离子导引件加速离子之间存在延迟。以及适用于所述方法的设备。
申请公布号 CN106128932A 申请公布日期 2016.11.16
申请号 CN201610290324.2 申请日期 2016.05.04
申请人 塞莫费雪科学(不来梅)有限公司 发明人 A·A·马卡罗夫
分类号 H01J49/42(2006.01)I 主分类号 H01J49/42(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 蔡悦
主权项 一种将离子注射到静电阱中的方法,其包括:在离子源中产生离子;将离子从所述离子源传输到所述离子源下游的离子存储装置;从所述离子存储装置将离子释放到所述离子存储装置下游的非捕获离子导引件;以及从所述离子导引件中作为脉冲将离子加速到轨道静电阱中以用于质量分析,其中在离子从所述离子导引件离开时离子的平均速度基本上高于离子从所述离子存储装置离开时的离子的平均速度,其中在从所述离子存储装置释放离子与从所述离子导引件加速离子之间存在延迟使得对于形成离子包的相同m/z的离子,随着它进入静电阱的离子包的持续时间基本上短于在所述离子包从所述离子存储装置进入所述离子导引件时的持续时间。
地址 德国不来梅