发明名称 MEMORY DEVICE LAYOUT SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING MEMORY DEVICE
摘要 메모리 디바이스의 레이아웃은 비일시적의 컴퓨터-판독 가능한 매체 상에 저장된다. 상기 레이아웃은 복수의 능동 구역 영역, 최하부 상호접속층, 복수의 메모리 셀, 및 워드 라인을 포함한다. 상기 최하부 상호접속층은 복수의 능동 구역 영역 위의 제1 도전층, 및 상기 제1 도전층 위의 제2 도전층을 포함한다. 상기 복수의 메모리 셀은 상기 복수의 능동 구역 영역을 포함한다. 상기 워드 라인은 제2 도전층에 있으며, 그리고 복수의 메모리 셀에 결합된다.
申请公布号 KR20160123969(A) 申请公布日期 2016.10.26
申请号 KR20150168015 申请日期 2015.11.27
申请人 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 发明人 CHEN JUI LIN;CHANG FENG MING;HUANG HUAI YING;WANG PING WEI
分类号 H01L27/06;H01L21/768 主分类号 H01L27/06
代理机构 代理人
主权项
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