半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。本发明提供一种向半导体层施加的应力可缓和的半导体装置。本发明的半导体装置包括：第一导电型第一半导体层；第一导电型第二半导体层，设在第一半导体层上；第二导电型第三半导体层，选择性地设在第二半导体层上；第一导电型第四半导体层，设在第三半导体层上；第一电极，隔着绝缘膜设在第二、第三、第四半导体层；第二电极，设在第四半导体层上，且连接第四半导体层；第三电极，与第二电极分离，一端与第一半导体层相接，另一端位于第二半导体层表面侧；且该半导体装置包含：第二半导体层的表面、及与第三电极相接且与第二半导体层的表面相连的面，第二半导体层的表面与该面成直角或钝角。

主权项

一种半导体装置，其特征在于包括：第一导电型的第一半导体层；第一导电型的第二半导体层，设置在所述第一半导体层之上；第二导电型的第三半导体层，选择性地设置在所述第二半导体层之上；第一导电型的第四半导体层，设置在所述第三半导体层之上；第一电极，隔着绝缘膜而设置在所述第二半导体层、所述第三半导体层、及所述第四半导体层；第二电极，设置在所述第四半导体层之上，且连接于所述第四半导体层；以及第三电极，与所述第二电极分离，且一端与所述第一半导体层相接，另一端位于所述第二半导体层的表面侧；且该半导体装置包含：所述第二半导体层的所述表面、及与所述第三电极相接且与所述第二半导体层的所述表面相连的面，所述第二半导体层的所述表面与所述面所成的角是直角或钝角。