Halbleiterbauelement und integrierte Schaltungsanordnung damit

摘要

In einem Halbleiterkörper (1) angeordnetes, durch Feldeffekt steuerbares Halbleiterbauelement, mit mindestens einer Sourcezone (27) vom ersten Leitungstyp, die eine elektrisch aktive Dotierungskonzentration von weniger als 1018 cm–3 aufweist, und mit mindestens einer Drainzone (23, 24) vom ersten oder zweiten Leitungstyp und mit einer innerhalb der Sourcezone (27) angeordneten Halbleiterschicht, mit mindestens einer, jeweils zwischen Sourcezone (27) und Drainzone (23, 24) angeordneten Bodyzone (26) vom zweiten Leitungstyp, mit mindestens einer Gate-Elektrode (29), über die bei Anlegen eines Gate-Potenzials an die Gate-Elektrode (29) ein stromführender Kanal (31) in der Bodyzone (26) ausbildbar ist und die gegenüber der Halbleiterkörper (1) durch ein Gate-Oxid (30) isoliert ist. mit mindestens einer metallischen Source-Elektrode (32), die die Halbleiterschicht kontaktiert, wobei zwischen der Source-Elektrode (32) und der Halbleiterschicht ein ohmscher Kontakt vorhanden ist, der dadurch gebildet ist, dass für die Dotierung der Halbleiterschicht ein Dotiermaterial vorgesehen ist, das mit einer Konzentration weit oberhalb von dessen Löslichkeitsgrenze in den Halbleiterkörper (1) eingebracht ist, wobei die elektrisch wirksame Dotierungskonzentration in der Halbleiterschicht ein Bruchteil der eingebrachten Dotierkonzentration ist, und wobei die Source-Elektrode (32) ausschließlich an die innerhalb der Sourcezone (27) angeordnete Halbleiterschicht angeschlossen ist.