发明名称 |
Halbleiterbauelement mit einem Hohlraumdeckel |
摘要 |
Es werden ein Halbleiterbauelement mit einem Deckel sowie ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einem Deckel offenbart. Das Halbleiterbauelement enthält ein Substrat. Ein Bauelement wird auf dem Substrat positioniert. Ein Deckel, der aus einem Halbleitermaterial besteht, wird über dem Bauelement positioniert, um einen Schutzhohlraum um das Bauelement zu bilden. Der Deckel wird mittels eines Halbleiterprozesses ausgebildet. In anderen Beispielen kann der Deckel aus einem nicht-leitfähigen Material hergestellt sein, wie zum Beispiel einem Polymermaterial. Die Deckel können im Rahmen eines diskontinuierlichen Prozesses ausgebildet werden. |
申请公布号 |
DE102016106603(A1) |
申请公布日期 |
2016.10.13 |
申请号 |
DE201610106603 |
申请日期 |
2016.04.11 |
申请人 |
Infineon Technologies AG |
发明人 |
Mühlbauer, Franz-Xaver;Maier, Dominic;Kilger, Thomas |
分类号 |
H01L23/043;B81B7/02;B81C1/00;H01L21/52;H01L23/552;H04R1/00 |
主分类号 |
H01L23/043 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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