用于半导体器件的伸长凸块结构

摘要

本发明提供了一种用于半导体器件的伸长凸块结构。最上方保护层中具有穿过该保护层的开口。在开口中形成有柱状物，并且该柱状物延伸至最上方保护层的至少一部分上方。延伸到最上方保护层上方的部分通常为伸长形状。在实施例中，相对于凸块结构的部分的开口的部分延伸到最上方保护层上方，使得从开口的边缘到凸块的边缘的距离与凸块结构的长度的比率大于或者等于大约0.2。在另一实施例中，开口的位置相对于凸块的中心产生偏移。

主权项

一种半导体结构，包括：基板，包括导电焊盘；介电层，位于所述基板上方，所述介电层中具有开口，所述介电层位于所述导电焊盘的至少一部分上方，所述开口位于所述基板的角落区域，所述角落区域由所述基板的相邻侧限定；以及凸块结构，与所述导电焊盘电接触，从所述凸块结构的边缘到所述开口的边缘与所述凸块结构的长度的比率大于或者等于0.2，其中，所述凸块结构的长轴指向所述基板的中心，所述长轴与所述基板的相邻侧均不平行。