硅半导体衬底及其制造方法

摘要

本发明提供一种空洞型结晶无瑕疵区达到更深处及制造时间缩短的硅半导体衬底及其制造方法。所述的衬底是一种由佐奇拉斯基法或施加磁场佐奇拉斯基法(Czochralski)所生长的硅单晶体制得的，该硅半导体衬底是(1)利用一满足关系式0.2≥V/S/R的硅半导体衬底，其中V代表空洞型缺陷的体积，S代表其表面积，R代表假设具有与具有体积V的空洞型缺陷同样体积的球状缺陷的半径，及(2)在1150℃度上将该衬底加以热处理而制得。

主权项

1.一种由佐奇拉斯基法或施加磁场佐奇拉斯基法所生长的硅单晶体制得的硅半导体衬底，其特征在于该硅半导体衬底内的氧浓度不超过9.5×1017个原子/cm3及氮浓度不低于5×1014个原子/cm3且不超过1×1016个原子/cm3，该硅半导体衬底含有空洞型缺陷，所述的空洞型缺陷满足0.2≥V/S/R的关系，其中V代表空洞型缺陷的体积，S代表其表面积，R代表假设具有与具有体积V的空洞型缺陷同样体积的球状缺陷的半径，并且半径R满足R≤30nm。