发明名称 |
紫外GaN基LED外延结构 |
摘要 |
本实用新型提供一种紫外GaN基LED外延结构,LED外延结构依次包括:衬底;低温缓冲层;高温u‑GaN层;高温n‑GaN层;低温AlGaN/AlInGaN紫外发光层;高温p‑AlGaN电子阻挡层;高温p‑GaN层,低温AlGaN/AlInGaN紫外发光层包括层叠设置的低温Al<sub>x</sub>In<sub>y</sub>Ga<sub>1‑x‑y</sub>N量子阱层和低温Al<sub>z</sub>Ga<sub>1‑</sub><sub>z</sub>N量子垒层。本实用新型通过设计紫外GaN基LED外延结构中的量子阱发光层结构,降低了材料中自发和压电极化效应的影响,能够提升紫外LED器件的内部量子效率。 |
申请公布号 |
CN205406553U |
申请公布日期 |
2016.07.27 |
申请号 |
CN201620155185.8 |
申请日期 |
2016.03.01 |
申请人 |
聚灿光电科技股份有限公司 |
发明人 |
冯猛;陈立人;刘恒山 |
分类号 |
H01L33/04(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/04(2010.01)I |
代理机构 |
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 |
代理人 |
杨林洁 |
主权项 |
一种紫外GaN基LED外延结构,其特征在于,所述LED外延结构依次包括:衬底;位于所述衬底上的低温缓冲层;位于所述低温缓冲层上的高温u‑GaN层;位于所述高温u‑GaN层上的高温n‑GaN层;位于所述高温n‑GaN层上的低温AlGaN/AlInGaN紫外发光层,所述低温AlGaN/AlInGaN紫外发光层包括层叠设置的低温Al<sub>x</sub>In<sub>y</sub>Ga<sub>1‑x‑y</sub>N量子阱层和低温Al<sub>z</sub>Ga<sub>1‑z</sub>N量子垒层,每个周期中,所述低温Al<sub>x</sub>In<sub>y</sub>Ga<sub>1‑x‑y</sub>N量子阱层中Al组分x为固定值,In组分y为固定值,低温Al<sub>z</sub>Ga<sub>1‑z</sub>N量子垒层中Al组分z为非固定值,Al组分z沿外延生长方向全部或部分逐渐增大,且低温Al<sub>z</sub>Ga<sub>1‑z</sub>N量子垒层中的Al组分不低于低温Al<sub>x</sub>In<sub>y</sub>Ga<sub>1‑x‑y</sub>N量子阱层中的Al组分x,所述低温AlGaN/AlInGaN紫外发光层的发光波长为365~400nm;位于所述低温AlGaN/AlInGaN紫外发光层上的高温p‑AlGaN电子阻挡层;位于所述高温p‑AlGaN电子阻挡层上的高温p‑GaN层。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市工业园区新庆路8号 |