半导体装置及其驱动方法

摘要

本发明涉及半导体装置及其驱动方法。提供一种具有非易失性存储单元的半导体装置，该非易失性存储单元包括使用氧化物半导体的写入用晶体管、使用与该写入用晶体管不同的半导体材料的读出用晶体管以及电容元件。通过使写入用晶体管成为导通状态，将电位供应到写入用晶体管的源电极(或漏电极)、电容元件的一方电极、读出用晶体管的栅电极彼此电连接的节点，然后，通过使写入用晶体管成为截止状态，使节点保持预定量的电荷，以对存储单元写入信息。另外，作为读出用晶体管使用p沟道型晶体管，而将读出电位设定为正的电位。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：在绝缘表面上形成氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包含沟道形成区，所述氧化物半导体层含有铟、锡和锌；将氧离子注入所述氧化物半导体层中；在含有氮的气氛中对所述氧化物半导体层执行第一热处理；在含有氧的气氛中对所述氧化物半导体层执行第二热处理，使得所述氧化物半导体层包含过量的氧并且所述氧化物半导体层能够补充所述氧化物半导体层中的氧缺乏；其中所述第二热处理在所述第一热处理之后执行。