超级结功率器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种超级结功率器件，其N柱与P柱交替排列，另外，包括位于N柱上方的多晶硅栅电极和源极的形成，P阱的形成及包覆所述多晶硅栅电极的隔离介质层，贯穿P柱中的接触孔及位于顶端的金属填充物，其中，所述接触孔中填充有所述金属填充物，所述金属填充物与N型外延层接触形成肖特基接触，本发明于超级结深沟槽内挖深孔形成嵌入肖特基区域，能增加器件的反向恢复速度，增大器件集成度；本发明还公开了一种制造上述超级结功率器件的方法。

主权项

一种超级结功率器件，在基片N型外延层上方形成P柱与N柱交替排列的结构，N柱之上具有位于P阱中的源极，以及多晶硅栅极；多晶硅栅极之上覆盖隔离介质层，其特征在于:在所述P柱中设置有一接触孔，所述接触孔贯穿所述P柱，宽度小于所述P柱；在所述接触孔中注入金属填充物，与N型外延层形成肖特基接触。