| 发明名称 | 具有凹入型控制栅电极的半导体存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种具有高操作速度并获得高集成度的半导体存储器，以及制造其的经济方法。该器件包括半导体衬底和凹入到半导体衬底内的控制栅电极。存储节点层设置在控制栅电极的侧壁与半导体衬底之间，且隧穿绝缘层设置在存储节点层与半导体衬底之间。阻挡绝缘层设置在存储节点层与控制栅电极之间。第一和第二沟道区隧穿绝缘层下面的半导体衬底的表面周围形成，从而围绕控制栅电极，并被一对相对的分隔绝缘层分开。 | ||
| 申请公布号 | CN101079444A | 申请公布日期 | 2007.11.28 |
| 申请号 | CN200610169306.5 | 申请日期 | 2006.12.13 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴允童;具俊谟;赵庆来 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1、一种半导体存储器，包括：半导体衬底；控制栅电极，凹入到所述半导体衬底内；存储节点层，设置在所述控制栅电极侧壁与半导体衬底之间；隧穿绝缘层，设置在所述存储节点层与半导体衬底之间；阻挡绝缘层，设置在所述存储节点层与控制栅电极之间；和第一和第二沟道区，围绕所述隧穿绝缘层下面的所述半导体衬底的表面形成，以围绕所述控制栅电极，并被一对彼此面对的分隔绝缘层所分开。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||