发明名称 |
半导体器件的制造方法 |
摘要 |
一种半导体器件的制造方法,能实现容易控制氮化硅膜衬板构造的元件隔离槽的形成方法,并使元件微细化的同时,降低在元件隔离槽内发生的应力。本发明的元件隔离槽的形成方法,在硅衬底(1)上形成的槽(2a)的内壁淀积氮化硅膜衬板(14)后,使已填充到槽(2a)内部的第1填埋绝缘膜(17)的上表面向下方后退,并使氮化硅膜衬板(14)的上端部露出来。其次,在使氮化硅膜衬板(14)的露出部分转化成氧化硅膜(14a)等非氮化硅系绝缘膜后,在第1填埋绝缘膜(17)的上部淀积第2填埋绝缘膜(18),使其表面平坦化。 |
申请公布号 |
CN100334708C |
申请公布日期 |
2007.08.29 |
申请号 |
CN200410030958.1 |
申请日期 |
2004.04.01 |
申请人 |
株式会社瑞萨科技 |
发明人 |
安井感;峰利之;后藤康;横山夏树 |
分类号 |
H01L21/762(2006.01);H01L29/78(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/762(2006.01) |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 |
代理人 |
季向冈 |
主权项 |
1.一种半导体器件的制造方法,其特征在于,包括:对硅衬底进行刻蚀形成槽的步骤;沿着上述槽的内壁形成氮化硅膜的步骤;在上述槽的内部形成具有未完全填充上述槽的内部的膜厚的第1填埋绝缘膜的步骤;使已在上述第1填埋绝缘膜的上部露出的部分上述氮化硅膜转化成非氮化硅系绝缘膜的步骤;以及在上述第1填埋绝缘膜的上部形成第2填埋绝缘膜,用上述第1和第2填埋绝缘膜填充上述槽的内部的步骤。 |
地址 |
日本东京都 |