对多孔质膜进行蚀刻的方法

摘要

本发明提供一种多孔质膜的蚀刻方法。一个实施方式的方法包括：向收纳有具有多孔质膜的被处理物的等离子体处理装置的处理容器内供给第一气体的工序；和在处理容器内生成多孔质膜的蚀刻用的第二气体的等离子体的工序。第一气体由在处理容器内在其上载置有被处理物的载台的温度时具有133.3帕斯卡以下的饱和蒸气压的处理气体组成或包含该处理气体。另外，在供给第一气体的工序中，不生成等离子体，供给至处理容器内的处理气体的分压设定为饱和蒸气压的20％以上的分压。

主权项

一种对多孔质膜进行蚀刻的方法，其特征在于：包括：向收纳有具有所述多孔质膜的被处理物的等离子体处理装置的处理容器内供给第一气体的工序；和在所述处理容器内生成所述多孔质膜的蚀刻用的第二气体的等离子体的工序，所述第一气体由在所述处理容器内在其上载置有所述被处理物的载台的温度时具有133.3帕斯卡以下的饱和蒸气压的处理气体组成或包含该处理气体，供给所述第一气体的所述工序中，不生成等离子体，供给至所述处理容器内的所述处理气体的分压为所述饱和蒸气压的20％以上。