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发明名称 Nonvolatile memory device comprising Si nanocrystal as floating gate and method of manufacturing the same
摘要
申请公布号 KR100785015(B1) 申请公布日期 2007.12.12
申请号 KR20060044639 申请日期 2006.05.18
申请人 发明人
分类号 H01L27/115 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
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