发明名称 |
一种SiC生长坩埚平台 |
摘要 |
本申请涉及SiC生产技术领域,具体为一种SiC生长坩埚平台。该装置通过螺栓将两块石墨平台连接在一起,并将坩埚固定于两块石墨平台之间,当石墨受热膨胀时,由于螺栓的固定,石墨平台不会发生位置平移,从而保障了坩埚位置的稳定性。另外,在两块石墨平台相对的一侧,在每个石墨平台上设有一个半圆,两个半圆内侧设置有加热套,坩埚正好放置于该加热套内,使得坩埚受热均匀,避免了坩埚内由于局部过热而对产品造成影响,也避免了坩埚内由于局部受不到热,而对能源造成浪费。 |
申请公布号 |
CN205711043U |
申请公布日期 |
2016.11.23 |
申请号 |
CN201620384311.7 |
申请日期 |
2016.04.29 |
申请人 |
山东天岳晶体材料有限公司 |
发明人 |
宗艳民 |
分类号 |
C30B29/36(2006.01)I;C30B35/00(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/36(2006.01)I |
代理机构 |
济南舜源专利事务所有限公司 37205 |
代理人 |
苗峻 |
主权项 |
一种SiC生长坩埚平台,其特征在于,包括第一石墨平台(1)和第二石墨平台(3),所述的第一石墨平台(1)和第二石墨平台(3)通过两个螺栓(2)连接在一起,两根螺栓(2)分别贯穿第一石墨平台(1)和第二石墨平台(3)的两侧,所述的第一石墨平台(1)和第二石墨平台(3)相对的一侧,在每个平台上分别设有半圆,两半圆大小及相对位置为对应的,两个半圆内侧设置有加热套(9),坩埚(8)正好放置于该加热套内。 |
地址 |
250118 山东省济南市槐荫区美里湖美里路中段 |