发明名称 一种SiC生长坩埚平台
摘要 本申请涉及SiC生产技术领域,具体为一种SiC生长坩埚平台。该装置通过螺栓将两块石墨平台连接在一起,并将坩埚固定于两块石墨平台之间,当石墨受热膨胀时,由于螺栓的固定,石墨平台不会发生位置平移,从而保障了坩埚位置的稳定性。另外,在两块石墨平台相对的一侧,在每个石墨平台上设有一个半圆,两个半圆内侧设置有加热套,坩埚正好放置于该加热套内,使得坩埚受热均匀,避免了坩埚内由于局部过热而对产品造成影响,也避免了坩埚内由于局部受不到热,而对能源造成浪费。
申请公布号 CN205711043U 申请公布日期 2016.11.23
申请号 CN201620384311.7 申请日期 2016.04.29
申请人 山东天岳晶体材料有限公司 发明人 宗艳民
分类号 C30B29/36(2006.01)I;C30B35/00(2006.01)I 主分类号 C30B29/36(2006.01)I
代理机构 济南舜源专利事务所有限公司 37205 代理人 苗峻
主权项 一种SiC生长坩埚平台,其特征在于,包括第一石墨平台(1)和第二石墨平台(3),所述的第一石墨平台(1)和第二石墨平台(3)通过两个螺栓(2)连接在一起,两根螺栓(2)分别贯穿第一石墨平台(1)和第二石墨平台(3)的两侧,所述的第一石墨平台(1)和第二石墨平台(3)相对的一侧,在每个平台上分别设有半圆,两半圆大小及相对位置为对应的,两个半圆内侧设置有加热套(9),坩埚(8)正好放置于该加热套内。
地址 250118 山东省济南市槐荫区美里湖美里路中段