| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本公开涉及半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有用于源区/漏区的凹槽；以及SiGe种子层，所述SiGe种子层同时形成在所述凹槽的侧壁和底壁上。其中，所述凹槽的侧壁上的所述SiGe种子层的厚度是不均匀的，以及所述凹槽的侧壁上的所述SiGe种子层的最大厚度在对应于沟道区的位置处。本公开的半导体器件及其制造方法使得SiGe种子层能够更有效地阻挡诸如硼的元素的扩散等。 | ||
| 申请公布号 | CN103681845B | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201210350791.1 | 申请日期 | 2012.09.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 涂火金 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 刘倜 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有用于源区/漏区的凹槽；以及SiGe种子层，所述SiGe种子层同时形成在所述凹槽的侧壁和底壁上并形成连续的层，其中，所述凹槽的侧壁上的所述SiGe种子层的厚度是不均匀的，以及所述凹槽的侧壁上的所述SiGe种子层的最大厚度在对应于沟道区的位置处，其中，所述凹槽的侧壁上的所述SiGe种子层的最大厚度与所述凹槽的底壁上的所述SiGe种子层的厚度之比为1:2.5至1:1。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||