| 摘要 |
반도체 소자의 제조 방법은 기판 상에 채널막을 형성하는 것, 상기 채널막 상에 희생막을 형성하는 것, 상기 희생막 상에 하드 마스크 패턴을 형성하는 것, 및 상기 하드 마스크 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 하드 마스크 패턴에 노출된 상기 희생막 및 상기 채널막을 식각하여, 상기 희생막이 제거되어 상부면이 드러난 채널부를 형성하는 것을 포함하되, 상기 채널막은 SiGe(0≤y<1) 막이고 상기 희생막은 SiGe(0≤z<1)이되, 상기 희생막의 저머늄 함량(Ge)은 상기 채널막의 저머늄 함량(Ge) 보다 많다. |
