发明名称 Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
摘要 Halbleitervorrichtung (1), aufweisend: ein Substrat (2) mit einem Leiter (2a); einen Halbleiterchip (3), der auf dem Substrat (2) angeordnet und elektrisch mit dem Leiter (2a) verbunden ist; eine röhrenförmige Elektrode (4), deren eines Ende (41) elektrisch mit dem Leiter (2a) verbunden ist; und ein Dichtungsharz (5), welches das Substrat (2), den Halbleiterchip (3) und die Elektrode (4) abdichtet, wobei die Elektrode (4) so konfiguriert ist, dass sie in Stapelrichtung, in welcher das Substrat (2) und der Halbleiterchip (3) gestapelt sind, in einem Zustand vor dem Abdichten mit dem Dichtungsharz (5) ausdehnbar und kontrahierbar ist, wobei eine Kante (42a) des anderen Endes (42) der Elektrode (4) aus dem Dichtungsharz (5) frei liegt, und die Elektrode (4) einen Hohlraum (6) aufweist, der an der Kante (42a) des anderen Endes (42) offen ist und eine Faltenbalgform aufweist, wobei das eine Ende (41) der Elektrode (4) elektrisch mit dem Leiter (2a) durch eine Lötverbindung verbunden und so konfiguriert ist, dass es einen Durchmesser aufweist, der sich zum Leiter (2a) zu einer Kante (41a) des einen Endes (41) hin verringert.
申请公布号 DE102011017585(B4) 申请公布日期 2016.06.23
申请号 DE20111017585 申请日期 2011.04.27
申请人 Mitsubishi Electric Corp. 发明人 Yamaguchi, Yoshihiro
分类号 H01L23/48;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/049;H01L23/18 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人
主权项
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