| 摘要 |
두꺼운 게이트 산화막으로 고 구동 성능 및 높은 내전압을 가진 금속 산화 반도체 (MOS) 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치가 제공된다. 높은 내전압을 가진 LOCOS(local oxidation-of-silicon) 오프셋 MOS 트랜지스터에서, 제 2 도전형의 고농도 소스 영역(4) 및 제 2 도전형의 고농도 드레인 영역(5)을 형성하기 위해, 다결정 실리콘 게이트 전극(8)이 마스크로 사용되며, 채널 형성 영역(7) 상에 형성된 게이트 산화막(6)이 게이트 산화막(6)의 제거 시에 에칭되지 않도록, 소스 필드(source field) 산화막(14)이 채널 형성 영역(7)의 소스측 상에 또한 형성되며, 또한, 제 2 도전형의 고농도 소스 필드 영역(13)의 길이가 최적화된다. 따라서, 두꺼운 게이트 산화막를 가지며, 높은 구동 성능 및 높은 내전압을 가진 MOS 트랜지스터를 획득할 수 있다. |
