| 发明名称 | 电可擦除可编程只读存储器单元及其形成和读取方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)单元及其形成和读取方法。在读取EEPROM单元中的数据的方法中，用于读取的位线电压被施加到包括存储器晶体管和选择晶体管的EEPROM单元。第一电压被施加到存储器晶体管的感测线。大于第一电压的第二电压被施加到选择晶体管的字线。将通过EEPROM单元的电流与预定的参考电流对比，以读取存储在EEPROM单元中的数据。EEPROM单元的单元接通电流在擦除状态中会增加，单元中的数据可以被容易地区分。 | ||
| 申请公布号 | CN101377955A | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN200810214917.6 | 申请日期 | 2008.08.28 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李龙圭;韩晶昱;田喜锡;文正护;河成烨 |
| 分类号 | G11C16/28(2006.01);G11C16/34(2006.01);G11C16/30(2006.01);G11C16/02(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | G11C16/28(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 刘光明;穆德骏 |
| 主权项 | 1.一种读取包括存储器晶体管和选择晶体管的电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)单元中的数据的方法，所述方法包括：将位线电压施加到所述EEPROM单元；将第一电压施加到所述存储器晶体管的感测线；将大于所述第一电压的第二电压施加到所述选择晶体管的字线；以及将通过所述EEPROM单元的电流与预定的参考电流进行比较，并基于所述的通过所述EEPROM单元的电流和所述的预定的参考电流之间的比较来读取所述EEPROM单元中的数据。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 | ||