| 发明名称 | 半导体存储器件的读出放大器部分 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体存储器件的读出放大器部分，该半导体存储器件包括存储单元阵列和排列在该存储单元阵列的列方向的多个位线对，配置该读出放大器部分以控制经过位线对到所述存储单元阵列或来自存储单元阵列的数据的传送，所述读出放大器部分包括：布局单元的阵列，各布局单元分别包括形成在阱区中的读出放大器的电路部分，各布局单元不包括任何用于偏置上述阱区的接触；和设置在所述布局单元之外并配置成用于偏置所述阱区的接触。 | ||
| 申请公布号 | CN1956198A | 申请公布日期 | 2007.05.02 |
| 申请号 | CN200610115698.7 | 申请日期 | 2001.12.30 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 加藤大辅 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01);G11C7/06(2006.01);G11C11/409(2006.01) | 主分类号 | H01L27/108(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储器件的读出放大器部分，该半导体存储器件包括存储单元阵列和排列在该存储单元阵列的列方向的多个位线对，配置该读出放大器部分以控制经过位线对到所述存储单元阵列或来自存储单元阵列的数据的传送，所述读出放大器部分包括：布局单元的阵列，各布局单元分别包括形成在阱区中的读出放大器的电路部分，各布局单元不包括任何用于偏置上述阱区的接触；和设置在所述布局单元之外并配置成用于偏置所述阱区的接触。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||