| 摘要 |
La présente invention concerne un procédé de fabrication et un transistor comprenant une source, un drain, une grille comprenant un premier flanc et un deuxième flanc, un canal et un premier espaceur (1010, 2010) et un deuxième espaceur (1020, 2020), le premier espaceur (1010, 2010) présentant une première permittivité diélectrique et étant situé au moins en partie entre ladite source et ladite grille, au niveau du premier flanc de la grille, et un deuxième espaceur (1020, 2020) présentant une deuxième permittivité diélectrique et étant situé au moins en partie entre ledit drain et ladite grille (1003, 2003), au niveau du deuxième flanc de la grille. La première permittivité diélectrique est différente de la deuxième permittivité diélectrique. |
