| 发明名称 | 形成具有低电阻率金属图案的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于形成低电阻率金属图案的方法。该方法包含以下步骤：(i)将光催化化合物涂布到衬底上以形成光催化薄膜层；(ii)将水溶性聚合物涂布到光催化薄膜层上以形成水溶性聚合物层；(iii)将该两层选择性曝光以形成用作晶体生长的核的潜图案；以及(iv)将潜图案镀以金属以在其上生长金属晶体。根据该方法，可以以低成本、较简单的方式形成包含低电阻率金属的多层电路图案，并且可以根据预定用途自由选择构成各层的金属。该低电阻率金属图案可有利地应用于平板显示器件如LCDs、PDPs和ELDs。 | ||
| 申请公布号 | CN1641483A | 申请公布日期 | 2005.07.20 |
| 申请号 | CN200410081932.X | 申请日期 | 2004.12.16 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 卢昌镐;宋基镕;金珍詠;塔玛拉·拜克;G·A·布兰尼茨基;T·V·盖夫斯卡娅;V·G·索科洛夫 |
| 分类号 | G03F7/20;H01L21/00 | 主分类号 | G03F7/20 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 封新琴;巫肖南 |
| 主权项 | 1.一种形成金属图案的方法，其包含以下步骤：(i)将光催化化合物涂布到衬底上以形成光催化薄膜层；(ii)将水溶性聚合物涂布到光催化薄膜层上以形成水溶性聚合物层；(iii)将该两层选择性曝光以形成用于晶体生长的潜像中心；和(iv)将潜图案镀以金属以在其上生长金属晶体。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||