| 摘要 |
본 발명은 더미 메모리 셀을 포함하는 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법에 관한 것이다. 본 발명의 기술적 사상의 실시 예에 따른 불휘발성 메모리 장치는 더미 메모리 셀 및 상기 더미 메모리 셀에 직렬로 연결된 복수의 메모리 셀들을 포함하며, 프로그램 동작 시에 상기 복수의 메모리 셀들 중 선택된 메모리 셀과 상기 더미 메모리 셀 사이의 거리에 따라 상기 더미 메모리 셀에 제공되는 전압을 가변한다. 따라서, 본 발명의 기술적 사상의 실시 예에 따른 불휘발성 메모리 장치는 디스터브를 방지할 수 있다. |
