| 摘要 |
Strahlungsrauschen entsteht, wenn ein Halbleiterbauteil, das in einer Leistungseinheit eingebaut ist, Schaltvorgänge durchführt. Um ein solches Strahlungsrauschen zu reduzieren, wird ein Kern außerhalb der Leistungseinheit bereitgestellt. Je näher der Kern am Halbleiterbauteil, das eine Quelle ist, die das Strahlungsrauschen erzeugt, angeordnet ist, desto stärker ist die das Strahlungsrauschen reduzierende Wirkung. Da jedoch kein Raum zur Verfügung stand, um den Kern innerhalb der Leistungseinheit bereitzustellen, gab es eine Beschränkung bei der Reduktion von Strahlungsrauschen. Daher stellt die Erfindung eine Leistungseinheit bereit, die einen Kern in ihrem Inneren umfasst. In der Leistungseinheit gemäß der Erfindung, um einen ersten Kern 6 innerhalb der Leistungseinheit 2 einzubauen, umfassen eine erste ausgangsseitige Stromschiene 16, eine zweite ausgangsseitige Stromschiene 17 und eine dritte ausgangsseitige Stromschiene 18, die mit einem Ausgang eines Wechselrichters 3 verbunden sind, einen ersten Bündelabschnitt 15. Der erste Bündelabschnitt 15 ist durch eine erste Einführöffnung 33 des ersten, innerhalb der Leistungseinheit 2 bereitgestellten Kerns 6 hindurchgeführt. |
