| 发明名称 | 制造图像传感器的方法 | ||
| 摘要 | 本发明的实施方式涉及制造图像传感器的方法，该方法包括在半导体衬底之上形成多个较低层。第一钝化层可形成于较低层之上以保护较低层。第一钝化层可以不同厚度形成于像素区域和外围区域中。旋涂式玻璃(SOG)层可形成于第一钝化层之上。第二钝化层可形成于SOG层之上。阵列蚀刻可用于在半导体衬底中形成凹区。多个微透镜可形成于凹区的底部表面之上。 | ||
| 申请公布号 | CN101145540A | 申请公布日期 | 2008.03.19 |
| 申请号 | CN200710149572.6 | 申请日期 | 2007.09.12 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 方善敬 |
| 分类号 | H01L21/71(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L27/146(2006.01) | 主分类号 | H01L21/71(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国;梁挥 |
| 主权项 | 1.一种方法，包括：在半导体衬底上形成多个较低层；在所述较低层上形成第一钝化层，以保护所述较低层，所述第一钝化层以不同厚度形成于像素区域和外围区域中；在所述第一钝化层之上形成旋涂式玻璃层；在所述旋涂式玻璃层之上形成第二钝化层；执行阵列蚀刻以在所述半导体衬底中形成凹区；以及在所述凹区的所述底部表面上形成多个微透镜。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||